中国芯片制造企业以现有的DUV光刻机将芯片制造工艺推进至7nm，国内的芯片封装企业通富微电等又研发了5nm芯粒封装技术，如此国产芯片可望提供接近5nm工艺性能的芯片，对ASML的EUV光刻机需求迫切性下降
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早前中国一家企业就被媒体报道已筹建全球第一条光子芯片生产线，预计最快在明年量产，一旦光子芯片实现商用，那将彻底革新当下的芯片技术，光子芯片的性能比硅基芯片高1000倍，功耗则只有硅基芯片的千分之一，具有广阔的应用前景
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俄罗斯能生产光刻机图
ASML的EUV光刻机时代正在落幕
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台积电是ASML的第一大客户之一，更是EUV光刻机的主要买家，在台积电给了ASML一记重锤之后，ASML一直顺从的美国却又给了它一记重锤
美国芯片企业美光表示绕开EUV光刻机研发的10nm级别的1β工艺提升了存储密度30%，而功耗降低了20%，更重要的是成本大幅下降，这主要是因为EUV光刻机比美光现在采用的EUV光刻机贵了2-3倍
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其次是美国光刻机企业Zyvex公司研发电子束光刻机，绕开了ASML的EUV光刻机，并且将先进工艺提升到0.768纳米，打破了ASML尚未量产的第二代EUV光刻机的极限，为芯片制造开辟了新的道路，如此一来美国芯片企业未来很可能不再采购ASML的EUV光刻机
在先进工艺研发难度、成本高的情况下，台积电如今也开始转向以封装技术提升现有工艺的性能以满足芯片企业的要求，台积电已联合了19家芯片企业成立“3D Fabric ”联盟，以先进的封装技术提高5nm、7nm等现有工艺的性能，甚至可以提升无需EUV光刻机的7nm、16nm工艺芯片的性能
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