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2022-2032年的极紫外EUV光刻机代差在2022年6月底披露的资料中，IMEC公布了更新的未来十年的半导体工艺节点的规划，其中明确了两代EUV光刻技术代差：1，2023-2026年，将以NA0.33 EUV光刻机的多重曝光方式量产2纳米和A14（14Å）节点；2，2026-2032年，将以高NA0.55的EUV光刻机量产A10、A7、A5节点
这款光源对应上图的位置是1994年
当然，我们不能把1994年当作技术差距的时间点
例如不排除同步开发的193nm的ArFDUV光源也已经进入光刻机厂商的测试环节；亦即达到193nm浸没式光刻水平，那么对应上图的位置是2005年左右
大品牌，质量很好，性价比很高，安装使用方便，读写速度很快，光盘质量好的时候声音很好，使用有的光盘时候有较大声音。
挺好的，和想象中一样，随意搭都很好看，满意！实用性和颜值都非常的赞，我很喜欢，还会再来买的宝贝做工真的非常精细，细节真的棒，爱了爱了
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极紫外EUV光刻机代差详解:2010-2032年
读盘速度：十分快 读盘声音：小 稳定性能：十分不错 轻薄程度：刚刚好 外形外观：美观 产品包装：很好
做工精致，读片性能很好，轻薄小巧携带方便，五星！还可以，价格很便宜了，电脑还是要装一个刻录机的，万一用了还是很方便的
日本光刻机汞灯
编者按：公众比较熟悉的光刻机代差是基于193纳米光刻光源的干式DUV和浸液式DUV
而浸液式DUV光刻，可以通过多次曝光获得7纳米节点的能力
明确这些技术代差，有助于讨论和思考我国的光刻机发展方式和组织模式
很显然，这两次迭代，将使得摩尔定律被延长至2032年
在中文舆论里，前者便是铺天盖地的所谓“28nm”光刻机；后者便是所谓“7nm”光刻机
半导体产业40年的发展路径经严格考证的国产光刻机光源进度而在我2021年10月份的考证里，国产DUV光源的测试计划是248nm的KrF DUV激光器，因此实际上这一款激光器并没有进入批量生产的阶段
中国准分子激光DUV光刻光源测试原始记录关于国产DUV光刻光源的考证原文：解读中国28nm光刻机（一）:深紫外DUV光刻机光源的曙光结语在上述关于光刻机代差分析里，我们剥离出未来十年的2代代差和过去十年的3代代差，而这正对应于我国的光刻机研发工作的针对目标：1，在过去十年的既有技术上的突破，显而易见，自2019年开始国际形势突变之后，我们不再具有轻易获得西方的成熟技术、并依托其上进行迭代式发展的模式