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光刻机_雕刻机_曝光系统

关于光刻机如果中国可以做出光刻机

曝光光源波长分为紫外深紫外和极紫外区域,光源有泵灯,准分子激光器

近日有国内企业公布一项关于光线折射等的EUV光刻机专利,这对于国内光刻产业一直努力的EUV光刻机技术无疑是重大的突破

目前EUV光刻机仅有ASML一家企业可以生产,而ASML深受美国的影响,在美国的影响下导致ASML无法自由出货EUV光刻机,这也成为中国芯制造的最大障碍

光线折射技术就是光刻机的核心技术之一,从90nm工艺以来,DUV光刻机所采用的光源都是193nm的光源,而EUV光源则是13.5nm,通过在水等介质的多次折射得到相应波长的光线,从而实现了以193nm光源生产65nm至7nm工艺、13.5nm光线实现7nm至2nm的工艺,而这家企业公布的光线折射技术恰恰解决了光刻机的关键技术

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这就是光刻的作用类似照相机照相

照相机拍摄的照片是印在纸片上,而光刻刻的不是照片,而是电路图和其他电子元件

光刻机就是将光罩上的设计集成电路图形通过光线的曝光印到光感材料上,形成图形

光刻机性能指标光刻机主要性能指标有:支持基片的尺寸范围,分辨率对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率

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近几年来中国极力发展芯片制造产业链,经过近十年来的努力,中国在芯片制造的八大环节都已达到14nm,刻蚀机更已达到5nm,而芯片封测技术已达到3nm,仅有光刻机还停留在28nm以上

光刻机也成为中国芯片制造最后需要打通的环节,而随着更多企业的加入,特别是近期一家重量级企业成功研发了光线折射技术,对于中国的光刻机产业来说无疑是巨大的突破

这样的技术不仅可以用于DUV光刻机,还可以用于EUV光刻机

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