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台积电抢攻2nm王冠!ASML最强光刻机加持,俄罗斯进口中国光刻机

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台积电抢攻2nm王冠!ASML最强光刻机加持,俄罗斯进口中国光刻机

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台积电抢攻2nm王冠!ASML最强光刻机加持

而且台积电还提到了「小芯片集成」,业界猜测很多使用N2制程的产品,也会使用多块小芯片的打包版来降本增效

据称台积电将会在2025年下半年开始大规模使用N2制程上量生产芯片

考虑到当代半导体生产周期,商用的2纳米芯片将会在2025年晚期或者2026年初在市面上出现

作为全新的芯片制作工艺平台,N2制程的核心创新在于两点:纳米片电晶体管(Nanosheet)与背面配电线路(backside power rail)

此两点都是为了提高单位能耗中芯片性能而设计

台积电的「全环绕栅极式纳米片电晶体管」(GAA nanosheet transistors),晶体管的通道在所有四个侧面都被栅极包围,从而减少了电能泄漏

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也就是说,GAA (gate-all-around,简称 GAA) 架构的出现再次拯救了摩尔定律

据称,台积电N2将使用GAAFET(全环绕栅极晶体管)技术,于2025年开始量产

N2在性能、功效上有明显提升,不过晶体管密度在2025年的时代背景中可能显得提升效果不大

这在当下晶体管体积越发接近原子体积时,将会越来越突出

而且台积电「环绕栅极式纳米片电晶体管」的通道可以加宽以增加驱动电流并提高性能,也可以缩小以最大限度地降低功耗和成本

为了给这些「纳米片电晶体管」提供足够的电能而且避免漏电损耗,台积电的N2制程使用背面配电线路(backside power rail)

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在此之前,台积电将会使用有N3E、N3P和N3X等3纳米制程的改进版生产芯片

ASML业界最强光刻机加持除了公布2nm先进制程,台积电会议上还宣布,将在2024年,引进ASML(阿斯麦下一代最先进的光刻机

此光刻机为「高数值孔径极紫外」(High-NA EUV)光刻机

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