而从工艺技术和制造成本综合因素考量,EUV 光刻机(极紫外光刻)被普遍认为是 7nm 及以下工艺节点的最佳选择
目前,在全球范围内仅有荷兰的 ASML 公司能供应 EUV 光刻机
据介绍,ASML 的 EUV 光刻技术使用 13.5 nm 的波长(几乎是 X 射线范围),在微芯片上形成精细的线条
光刻机激光概念股
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另据韩媒 Business Korea 报道,三星电子正计划通过在未来三年内打造 2 纳米 GAA(Gate-all-around)工艺来追赶台积电
随着 0.55 NA EUV 光刻机量产提上日程,芯片厂商的“2nm 工艺战”也将彻底打响
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ASML 光刻系统的发展一直是通过减少波长和增加数值孔径来进行演进
目前,ASML 的主力产品是 0.33NA EUV 光刻机,并正在大批量生产中
对于 0.33 NA 系统,ASML 正致力于通过增加吞吐量和降低总能量来减少每次曝光所需的能量
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为什么要冲刺高 NA EUV 光刻机?光刻系统所能达到的分辨率是光刻收缩的主要驱动因素之一,它主要由所用光的波长和光学系统的数值孔径决定
更短的波长可以打印出更小的特征;更大的数值孔径可以更紧密地聚焦光线,也能够带来更好的分辨率
芯片厂商打响“2nm 工艺战”
在第一季度,我们收到了多份 EXE:5200 系统的订单
我们这个月还收到额外的 EXE:5200 订单