王丽萍研究生在读时，于2007年发表了1篇EUV光刻光学设计的论文，涉及两镜头微缩投影系统：《极紫外投影光刻两镜微缩投影系统的光学设计》
王丽萍2007年发表论文在这篇论文中，给出了一套MET工具的光学设计图，其数值孔径NA0.3，分辨力优于32nm、矩形视场为 300μm×500μm
因此，从工业化角度而言，我国开发EUV，即便是可以省略了四镜头的ETS工程验证机的环节，六镜头的ADT演示工具应该是目前合适的攻关环节
王丽萍教授的两镜头EUV投影系统设计王丽萍教授的履历表写道：2004年毕业于长春理工大学后，于2004-2009年在中国科学院长春光学精密机械与物理研究所攻读博士
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中国光刻机困局之2022(二):六镜头极紫外光学系统的起源光刻机物镜超精密加工数控机床
在过去三年的六镜头EUV光刻光学系统项目的研究里，王丽萍教授和她的团队已经进展到哪一个阶段了呢？在面对西方技术封锁下，我们能够获得项目推进所必须的软硬件条件吗？下次见！两镜头极紫外曝光工具MET-5参考资料2017年中科院02专项验收通讯稿：https://www.cas.cn/cm/201707/t20170710_4607967.shtml2017年长春光机所02专项验收通讯稿：http://www.ciomp.cas.cn/xwdt/mtcg/201707/t20170711_4830235.html2005年加州劳伦斯伯克利实验室MET工具论文：https://digital.library.unt.edu/ark:/67531/metadc885229/m2/1/high_res_d/901242.pdf纽约州立大学理工学院ADT工具主页：https://www.sunypoly.edu/research/wafer-fabrication/wafer-processing-rd/lithography-patterning-tools/asml-300mm-adt-euv.html
2005年美国加州伯克利劳伦斯实验室的NA0.3的MET工具这篇论文给出了一份测试结果，展示了30nm和25nm的等线宽线距（L/S）的曝光能力，可以看到30纳米等L/S曝光结构非常清晰
而曝光28.8纳米的独立线条，仍可以获得非常高精度的曝光图案
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2005年美国加州劳伦斯伯克利实验室的NA0.3的MET工具因此，从这一非常具体的实例来作为比较，并且只从曝光工具的单一指标（我们忽略系统性工作能力、技术储备、制造工具储备等）而言，我们在2017年的02专项极紫外曝光光学的验收成果，接近2005年劳伦斯伯克利实验室的NA0.3的MET工具的曝光线宽
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