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和美国远离EUV
日本和美国的芯片行业研发摆脱EUV光刻机的芯片制造工艺,在于采用EUV光刻机的芯片制造工艺成本实在太高了,用于7nm及以上工艺的DUV光刻机价格在3000-5000万美元,而第一代EUV光刻机价格达到1.2亿美元,第二代EUV光刻机价格达到4亿美元
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据悉日本已成功突破5nm工艺,这是在无需采用ASML的EUV光刻机情况下达到的,此前美国也有企业研发了无需EUV光科技的工艺,似乎ASML正陷入众叛亲离的局面
由于成本过于昂贵,台积电和三星研发的3nm工艺如今都面临无客户采用的问题,甚至有消息指苹果考虑到成本问题预计明年的A17处理器仍然采用成熟的4nm工艺而不是3nm工艺
正是由于成本问题,日本、美国的芯片行业才寻求发展无需EUV光刻机的芯片制造工艺,降低成本
此前ASML顺应美国的要求不对中国出售EUV光刻机,今年下半年更进一步连14nm以下的DUV光刻机都不对中国出售,然而如今日本和美国都绕开EUV光刻机,将彻底颠覆ASML的主业--光刻机业务
光刻机产业特点
除了设备过于昂贵之外,EUV光刻机的耗电量也是剧增,据悉台积电的耗电量占中国台湾省衡耗电量比例达到8%,如果引入第二代EUV光刻机,预计耗电量将进一步上涨,不知中国台湾能否撑得住,昂贵的电费让台积电已逐渐难以承受,这都导致采用光刻机的芯片制造工艺成本昂贵
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早前美国一家精密制造企业Zyvex Labs就宣布研发成功光刻机系统,它舍弃了ASML等光刻机企业所采用的紫外光,而采用了电子束(EBA)刻印电路,精度远超采用极紫外线的EUV光刻机,工艺制程可以达到0.768nm,这对于ASML更是重大打击