在台积电和三星都在抓紧研发2nm的同时，蓝色巨人首次放出一颗核弹
就在2021年5月，这家公司首次对外公布全球第一个2nm芯片，仅有指甲盖大小
那么英特尔呢？2021年下半年，英特尔不甘落后，也宣布了自己的全新路线图，并为芯片制程重新命名：Intel 7，Intel 4，Intel 3，Intel 20A
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在微观结构上，N2采用纳米片电晶体（Nanosheet），取代FinFET（鳍式场效应晶体管），外界普遍认为，纳米片电晶体就是台积电版的GAAFET
根据这些数据，权威硬件新闻网站Tom's Hardware的报道者表示，总体来看，N2的全世代制程较之前有明显的性能和耗电改观
也就是说，GAA (gate-all-around，简称 GAA) 架构的出现再次拯救了摩尔定律
据称，台积电N2将使用GAAFET（全环绕栅极晶体管）技术，于2025年开始量产
N2在性能、功效上有明显提升，不过晶体管密度在2025年的时代背景中可能显得提升效果不大
这两款芯片都是台积电代工生产的，并且采用的是FinFET架构
这也算是为两家企业2-3nm制程的市场之战吹响了号角
为了抢在台积电之前完成3nm的研发，三星的芯片制造工艺由5nm直接上升到3nm，4nm则直接跳过
作为全新的芯片制作工艺平台，N2制程的核心创新在于两点：纳米片电晶体管（Nanosheet）与背面配电线路（backside power rail）
台积电的「全环绕栅极式纳米片电晶体管」（GAA nanosheet transistors），晶体管的通道在所有四个侧面都被栅极包围，从而减少了电能泄漏
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2025年量产
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