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日本开发的NIL工艺是全球第一项无需光刻机的芯片制造工艺,此前已被铠侠用于存储芯片生产,此前日本方面就预计NIL工艺将可以演进至5nm,到去年底日本已将该工艺突破10nm,到如今不到1年时间又突破到5nm,可谓进展神速
据悉日本已成功突破5nm工艺,这是在无需采用ASML的EUV光刻机情况下达到的,此前美国也有企业研发了无需EUV光科技的工艺,似乎ASML正陷入众叛亲离的局面
由于成本过于昂贵,台积电和三星研发的3nm工艺如今都面临无客户采用的问题,甚至有消息指苹果考虑到成本问题预计明年的A17处理器仍然采用成熟的4nm工艺而不是3nm工艺
无独有偶此前美国的芯片企业美光也成功研发出了无需EUV光刻机的1β(1-beta)制造工艺,显示出美国芯片企业也意图摆脱对ASML的依赖,其实美国芯片业界对ASML的打击并不止于此,它们甚至在挖ASML的根
日本研发5nm取得重大进展
也造不出光刻机
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除了设备过于昂贵之外,EUV光刻机的耗电量也是剧增,据悉台积电的耗电量占中国台湾省衡耗电量比例达到8%,如果引入第二代EUV光刻机,预计耗电量将进一步上涨,不知中国台湾能否撑得住,昂贵的电费让台积电已逐渐难以承受,这都导致采用光刻机的芯片制造工艺成本昂贵
日本和美国的芯片行业研发摆脱EUV光刻机的芯片制造工艺,在于采用EUV光刻机的芯片制造工艺成本实在太高了,用于7nm及以上工艺的DUV光刻机价格在3000-5000万美元,而第一代EUV光刻机价格达到1.2亿美元,第二代EUV光刻机价格达到4亿美元