近几年来中国极力发展芯片制造产业链,经过近十年来的努力,中国在芯片制造的八大环节都已达到14nm,刻蚀机更已达到5nm,而芯片封测技术已达到3nm,仅有光刻机还停留在28nm以上
光刻机也成为中国芯片制造最后需要打通的环节,而随着更多企业的加入,特别是近期一家重量级企业成功研发了光线折射技术,对于中国的光刻机产业来说无疑是巨大的突破
关于光刻机
国产的光刻机已形成了一条完整的产业链条,成为全球唯一拥有光刻机全产业链的经济体,双工作台、光学系统、物镜系统、光源系统方面都已有相关企业研发成功,如今国内企业在光线折射技术方面的突破,无疑将补上最后的短板,期待国产光刻机的量产
曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域,光源有泵灯,准分子激光器等
近日有国内企业公布了一项关于光线折射等的EUV光刻机专利,这对于国内光刻机产业一直努力的EUV光刻机技术无疑是重大的突破
目前EUV光刻机仅有ASML一家企业可以生产,而ASML深受美国的影响,在美国的影响下导致ASML无法自由出货EUV光刻机,这也成为中国芯片制造的最大障碍
中国有自主产权的光刻机
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照相机拍摄的照片是印在纸片上,而光刻刻的不是照片,而是电路图和其他电子元件
光刻机就是将光罩上的设计好集成电路图形通过光线的曝光印到光感材料上,形成图形
光刻机性能指标光刻机主要性能指标有:支持基片的尺寸范围,分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等
读盘速度:很快 读盘声音:很小,几乎听不到声音 稳定性能:性能稳定 轻薄程度:与台式机配套合适 外形外观:精緻 产品包装:严实无破损。
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