中国准分子激光DUV光刻光源测试原始记录关于国产DUV光刻光源的考证原文：解读中国28nm光刻机（一）:深紫外DUV光刻机光源的曙光结语在上述关于光刻机代差分析里，我们剥离出未来十年的2代代差和过去十年的3代代差，而这正对应于我国的光刻机研发工作的针对目标：1，在过去十年的既有技术上的突破，显而易见，自2019年开始国际形势突变之后，我们不再具有轻易获得西方的成熟技术、并依托其上进行迭代式发展的模式
非常好，便宜实惠，安装方便，不用任何驱动，内置光驱比外置的寿命长，就是携带不方便，是sata接口的，没有数据线，物流速度非常快！
读盘速度：速度快。 读盘声音：声音小。刻录声音也不大。 稳定性能：性能稳定。 产品包装：包装很好。
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同样，根据2021年3月的公开记录而言，可以很容易判断目前可能还不具备规模量产的能力
因此需要重新调整重大专项的目标和组织模式，以产业发展的基础技术储备作为重点攻关，而不是致力于我前文所述的“复制型制造开发”模式
2，在未来十年的新技术上，目前全球仅ASML具有条件进行未来十年的2nm至5A的相关研究；这是建立在其过去十年的EUV光刻机垄断式发展基础上建立的垄断式发展优势
用起来方便，装好也完美，很契合原机。比较轻薄啊，很轻，读盘性能可以，等着试试刻录
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极紫外EUV光刻机代差详解:2010-2032年中兴事件光刻机
2022-2032年的极紫外EUV光刻机代差在2022年6月底披露的资料中，IMEC公布了更新的未来十年的半导体工艺节点的规划，其中明确了两代EUV光刻技术代差：1，2023-2026年，将以NA0.33 EUV光刻机的多重曝光方式量产2纳米和A14（14Å）节点；2，2026-2032年，将以高NA0.55的EUV光刻机量产A10、A7、A5节点
很显然，这两次迭代，将使得摩尔定律被延长至2032年
在中文舆论里，前者便是铺天盖地的所谓“28nm”光刻机；后者便是所谓“7nm”光刻机
半导体产业40年的发展路径经严格考证的国产光刻机光源进度而在我2021年10月份的考证里，国产DUV光源的测试计划是248nm的KrF DUV激光器，因此实际上这一款激光器并没有进入批量生产的阶段
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第一台高NA光刻机EXE:5000将在IMEC和ASML的联合实验室安装1990-2020年的光刻机代差从1990-2030年的半导体发展路径图上，我们可以看到大致上，2005-2019年经历了两个主要代差：1，浸液式DUV光刻（2007-2012年）；2，浸液式多重曝光DUV光刻（2012-2019年）；3，NA0.33EUV光刻机（2011-2020年）
读盘速度：读盘速度是非常的快，光盘放进去之后，机器反应非常灵敏。? 读盘声音：读盘的声音比较小，而且声音很稳定。? 稳定性能：性能很稳定，读盘的时候声音很稳定。 轻薄程度：这不是轻薄的光驱，这种光驱现在很难买了。幸好先锋还在生产。这一种平置式要比那种超薄的效果要好。? 外形外观：做工非常好，一看就是大厂的东西。? 产品包装：包装非常好，一看就是大厂的东西。让人放心。