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光刻机_雕刻机_曝光系统

国产90nm的光刻机,光刻机什么作用

测试中,进行到第三曝光时,晶圆的良率已经降低到了一个相当低的值,甚至有时候会低于20%了

如果进行第四次曝光,估计良率会低到离谱,至于第五次、第六次,根本不用想了,良率会接近于0%

目前像ASML的DUV光刻机,一般最多也只进行两次曝光,很少进行多次曝光,因为会大幅度的降低良率,造成成本上升,这是得不偿失的

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国产90nm的光刻机,光刻机什么作用

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芯片制造过程中,其它是需要两种光刻机的,一种是前道光刻机,就是将光掩膜板上的电路图,记录到涂了光刻胶的晶圆上的光刻机,因为这是前道工序,所以称之为前道光刻机

还有一种是后道光刻机,用于芯片后期的封装,在芯片制造过程中,属于后道工序,所以叫后道光刻机

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国产90nm的光刻机

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据称,目前国内正在研发28nm精度的光刻机,那么经过2次曝光后,能够达到14nm,然后可以尝试性的进行第三次曝光,然后有可能迈入7nm

当然,以上只是猜测,因为精度越高的光刻机,多次曝光的难度也就越高了,一切还得看真机的实测才行

光刻机什么作用

前道光刻机对光刻机的精度要求非常高,所以会有按精度分的DUV、EUV等光刻机

而前道光刻机方面,自然ASML是老大,毕竟EUV光刻机,只有ASML能够生产,而国内自研的前道光刻机,分辨率显示还是90nm的

那么有没有可能继续进行第4次曝光,然后就实现了11nm,再进行第5次曝光,然后实现10nm以下呢?理论上可以,但实际不行

读盘速度:读盘速度非常快,即插即用读盘声音:声音小。临时要用,上午下单京东下午就送到了,非常方便。但凡装机几乎必选先锋光驱,用了很多年了,质量一直都很稳定。话说包装设计得蛮漂亮的

那么问题就来了, 国产90nm的前道光刻机,究竟能够生产几纳米的芯片,是不是就只能是90nm了?事实上并不是的,在一些晶圆厂的实际测试中,在精度方面,90nm肯定没问题的,同时经过两次曝光,可以得到45nm的芯片,三次曝光最高可以达到22nm左右的水平

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