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光刻机_雕刻机_曝光系统

中国离7nm光刻机还有多远?,南京光机所是否研制光刻机

中国离7nm光刻机还有多远?,南京光机所是否研制光刻机

中国离7nm光刻机还有多远?

南京光机所是否研制光刻

  1961年,美国GCA公司成功造出第一台接触式光刻机,再加上新中国建立初期,美国、英国等17个国家就成立了国际巴黎统筹委员会,主要是为了限制成员国向发展中国家出口物资和高新技术,中国也在封禁的行列之中

这也代表着中国由于自身原因遭遇二次“卡脖”

  历时20年之久,中国光刻机技术一直卡在193nm无法突破,中国随着发展也逐渐认识到半导体产业的重要性,开始探讨突破193nm的方法

而此时的ASML却已经开始了EUV光刻机的研发工作,并且成功在2010年正式发出一台EVU原型机

文 | 华商韬略 付磊  时代在发展,科技在进步,如果说科技是一个国家强盛的根基,那么半导芯片制造则代表着人类科技的发展水平,而光刻机则是芯片制造中必不可少的一部分

  如今我国能够生产的光刻机是第四代的ArFDE 90nm制程,然而世界上最先进的光刻机生产企业ASML已经可以做到生产EVU的7nm制程量产

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因此我国的光刻机技术水平仍然需要不断努力突破,才能弥补这个差距

  【中国光刻机的三次“突破”】  在1952年,我国步入计算机科研,国家也正是成立了计算机科研小组,而此时的中国相对于外国来讲,GDP仍然差距较大

  直到1956年,我国正式开始重视半导体产业,并且成功研制出第一晶体三极管,从此中国进入半导体的新纪元,然而此时相对世界上第一只三极管的诞生已经过去了长达9年的时间

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  然而就在2019年,美国突然宣布对华为实施制裁,并且将制裁范围从芯片扩展至其他更多领域,光刻机对华销售也在其中

而此时的中国,小于5nm的芯片晶圆只能依靠ASML的EVU光刻机生产,迫于美国的压力荷兰只能妥协,中国因此迎来光刻机发展的第三次“卡脖”

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