数据显示，光刻胶中的沉积能量不会下降到光束中心的10%，直到径向距离约为4nm
使用HDL，实验团队能够暴露比EBL的10%阈值半径小>10倍的单个原子
这个小得多的曝光区域令人惊讶，因为HDL不使用光学器件，只是将钨金属尖端放置在H钝化硅样品上方约1nm处
△距氢（H）钝化硅表面约1nm的W扫描隧穿显微镜（STM）尖端电子似乎不太可能只遵循暴露单个氢原子所需的实心箭头路径
为了解决这个谜团，必须了解电子实际上不是从尖端发射（在成像和原子精密光刻模式下），而是从样品到尖端（在成像模式下）或从尖端到样品（在光刻模式下）模式
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我们对ZyvexLitho1感到兴奋，这是第一个提供原子级精密图案的商业化工具
”STM光刻技术的发明者、2014年费曼奖得主、伊利诺伊大学教授Joe Lyding表示：“到目前为止，Zyvex实验室的技术是最先进的，也是这种原子级精确光刻技术的唯一商业化实现
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如果只是用于成像，这是可以容忍的，但在进行光刻时这是一个严重的问题
ZyvexLitho1 的控制系统中采用了获得专利的自适应电流控制回路，可显着减少尖端碰撞
本来准备装电脑上的，结果发现机箱没有光驱位，索性加一个光驱盒，拿来当外置光驱，没想到速度还挺快的，声音很小，比较安静
使用具有无限平坦和导电衬底的简单模型、STM尖端顶点处单个W原子的发射以及简化的隧穿电流模型，我们将看到电流随着隧穿距离呈指数下降