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光刻机_雕刻机_曝光系统

中国芯片在底层技术上实现突破,荷兰精密光刻机

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这两种技术的结合,在一定程度上减少了先进工艺的采用,因为这种新技术不仅降低了成本,同样可以做到芯片性能的提升,本质上来说,还是因为在芯片的设计环节起到了关键作用,而现在,复旦大学在芯片的底层技术,也就是晶体管技术上实现了突破

荷兰精密光刻机

中国芯片在底层技术上实现突破,荷兰精密光刻机

刻录机一直买先锋,刻盘成功率高,废盘很少,买刻录机就买先锋。这款刻录机外观简洁大气,做工很好,使用也非常好,读取刻录都很棒,还没刻过坏盘!

在芯片设计上,28纳米工艺只需要4280万美元,7纳米则需要2.486亿美元,3纳米已经需要5.811亿美元,2纳米预计需要7.248亿美元,所以一颗3纳米芯片的设计成本,就是28纳米工艺的近14倍,超40亿人民币

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中国芯在底层技术上实现突破

而受到影响最大的,应该就是ASML,因为市场对EUV光刻机的依赖性将会降低,事实上,在芯粒和先进封装技术被应用后,这种对EUV光刻机的依赖性已经出现降低的现象,例如无论是英特尔的欧洲工厂还是台积电的美国工厂,都没有采购新的EUV光刻机,而是通过移机的形式,即采用老工厂的旧设备,台积电甚至还将3纳米工艺的产能缩减了约8成,7纳米工艺的一座新厂也被取消

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实际上,就在今年年中的时候,台积电方面就表示,将CEFT晶体管技术作为未来的发展重点,且将CFET作为GAAFET的接班人,GAAFET是3纳米和2纳米工艺的晶体管技术,3纳米之前采用的是FinFET晶体管,英特尔方面也在大力发展CEFT晶体管

正相反,台积电反而开始积极扩建28纳米等成熟工艺工厂

这还只是同质异构芯片刚刚被应用的开始,而异质异构芯片量产后,这种趋势将会更加明显

而ASML或许始料未及,中国在芯片技术上的发展会如此之快,因为在CFET晶体管技术上,ASML的盟友比利时微电子也将此作为未来的技术发展方向,但现在复旦大学却已经实现了

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