因此我国的光刻机技术水平仍然需要不断努力突破，才能弥补这个差距
【中国光刻机的三次“突破”】 在1952年，我国步入计算机科研，国家也正是成立了计算机科研小组，而此时的中国相对于外国来讲，GDP仍然差距较大
直到1956年，我国正式开始重视半导体产业，并且成功研制出第一只晶体三极管，从此中国进入半导体的新纪元，然而此时相对世界上第一只三极管的诞生已经过去了长达9年的时间
后来国家为了解决这一难题，除了抓紧整机制造，还开始扶持一系列配套产业链的发展，在不懈努力下，光刻机产业也成功在2016年实现90nm的光刻机量产
同年，中国的清华大学团队和华卓精科成功研发了光刻机双工作台系统样机，至此中国光刻机技术水平达到除ASML外的“外国”同步水平
注：图片来自仪器信息网 然而自主研发光刻机并非想象中那么简单
据数据显示，制造一台光刻机的精密零件需求为数万颗，而世界目前最先进的极紫外EVU光刻机则需要零件多达十多万
如此多的数目以及极其精密的数据要求，就成为了光刻机最根本的需求基础，因此传统的制造基础便成为了光刻机技术突破的基础产业要求之一
使得自身的科研进度逐步减缓，以至于中国的集成电路在科研、教育等方面出现脱节，自主研发的道路越走越窄
取而代之的是数以万千的廉价劳动力，尽管后来尽力去跟进研发，但由于自身发展原因加上大环境影响，导致曾经辉煌一时的半导体盛景已然成为“泡沫”
从“造不如买”到集中力量攻坚
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光刻机技术有关的科硏单位
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文 | 华商韬略 付磊 时代在发展，科技在进步，如果说科技是一个国家强盛的根基，那么半导体芯片的制造则代表着人类科技的发展水平，而光刻机则是芯片制造中必不可少的一部分
如今，我国能够生产的光刻机是第四代的ArFDE 90nm制程，然而世界上最先进的光刻机生产企业ASML已经可以做到生产EVU的7nm制程量产
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