日本开发的NIL工艺是全球第一项无需光刻机的芯片制造工艺，此前已被铠侠用于存储芯片生产，此前日本方面就预计NIL工艺将可以演进至5nm，到去年底日本已将该工艺突破10nm，到如今不到1年时间又突破到5nm，可谓进展神速
和美国远离EUV
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日本和美国的芯片行业研发摆脱EUV光刻机的芯片制造工艺，在于采用EUV光刻机的芯片制造工艺成本实在太高了，用于7nm及以上工艺的DUV光刻机价格在3000-5000万美元，而第一代EUV光刻机价格达到1.2亿美元，第二代EUV光刻机价格达到4亿美元
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据悉日本已成功突破5nm工艺，这是在无需采用ASML的EUV光刻机情况下达到的，此前美国也有企业研发了无需EUV光科技的工艺，似乎ASML正陷入众叛亲离的局面
由于成本过于昂贵，台积电和三星研发的3nm工艺如今都面临无客户采用的问题，甚至有消息指苹果考虑到成本问题预计明年的A17处理器仍然采用成熟的4nm工艺而不是3nm工艺
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早前美国一家精密制造企业Zyvex Labs就宣布研发成功光刻机系统，它舍弃了ASML等光刻机企业所采用的紫外光，而采用了电子束（EBA）刻印电路，精度远超采用极紫外线的EUV光刻机，工艺制程可以达到0.768nm，这对于ASML更是重大打击
国产9纳米光刻机样机
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除了设备过于昂贵之外，EUV光刻机的耗电量也是剧增，据悉台积电的耗电量占中国台湾省衡耗电量比例达到8%，如果引入第二代EUV光刻机，预计耗电量将进一步上涨，不知中国台湾能否撑得住，昂贵的电费让台积电已逐渐难以承受，这都导致采用光刻机的芯片制造工艺成本昂贵
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