第一台高NA光刻机EXE:5000将在IMEC和ASML的联合实验室安装1990-2020年的光刻机代差从1990-2030年的半导体发展路径图上,我们可以看到大致上,2005-2019年经历了两个主要代差:1,浸液式DUV光刻(2007-2012年);2,浸液式多重曝光DUV光刻(2012-2019年);3,NA0.33EUV光刻机(2011-2020年)
这款光源对应上图的位置是1994年
当然,我们不能把1994年当作技术差距的时间点
例如不排除同步开发的193nm的ArFDUV光源也已经进入光刻机厂商的测试环节;亦即达到193nm浸没式光刻水平,那么对应上图的位置是2005年左右
办公需要刻录光盘做数据保存,这款读盘能力很强,速度很快,震动不大,有轻微的声音,日常使用基本上不会察觉到;刻录写入时比18x的要快不少,过程很稳定,不会出现数据错误或者写完读不出的情况,购买时还赠送sata数据线,很方便。
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很显然,这两次迭代,将使得摩尔定律被延长至2032年
在中文舆论里,前者便是铺天盖地的所谓“28nm”光刻机;后者便是所谓“7nm”光刻机
半导体产业40年的发展路径经严格考证的国产光刻机光源进度而在我2021年10月份的考证里,国产DUV光源的测试计划是248nm的KrF DUV激光器,因此实际上这一款激光器并没有进入批量生产的阶段
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极紫外EUV光刻机代差详解:2010-2032年
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荷兰7纳米光刻机1亿多美元一台
比利时IMEC实验室公布2纳米以下制程量产时间节点首台高NA光刻机将入驻IMEC-ASML联合实验室IMEC和ASML的联合实验室将在2023年安装第一台高NA EUV光刻机系统;这是近十年光刻机发展历史上的一个里程碑的进展
编者按:公众比较熟悉的光刻机代差是基于193纳米光刻光源的干式DUV和浸液式DUV
而浸液式DUV光刻,可以通过多次曝光获得7纳米节点的能力
明确这些技术代差,有助于讨论和思考我国的光刻机发展方式和组织模式
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