早前美国一家精密制造企业Zyvex Labs就宣布研发成功光刻机系统，它舍弃了ASML等光刻机企业所采用的紫外光，而采用了电子束（EBA）刻印电路，精度远超采用极紫外线的EUV光刻机，工艺制程可以达到0.768nm，这对于ASML更是重大打击
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除了设备过于昂贵之外，EUV光刻机的耗电量也是剧增，据悉台积电的耗电量占中国台湾省衡耗电量比例达到8%，如果引入第二代EUV光刻机，预计耗电量将进一步上涨，不知中国台湾能否撑得住，昂贵的电费让台积电已逐渐难以承受，这都导致采用光刻机的芯片制造工艺成本昂贵
日本开发的NIL工艺是全球第一项无需光刻机的芯片制造工艺，此前已被铠侠用于存储芯片生产，此前日本方面就预计NIL工艺将可以演进至5nm，到去年底日本已将该工艺突破10nm，到如今不到1年时间又突破到5nm，可谓进展神速
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日本和美国的芯片行业研发摆脱EUV光刻机的芯片制造工艺，在于采用EUV光刻机的芯片制造工艺成本实在太高了，用于7nm及以上工艺的DUV光刻机价格在3000-5000万美元，而第一代EUV光刻机价格达到1.2亿美元，第二代EUV光刻机价格达到4亿美元
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据悉日本这次是众多芯片设备企业与日本最大的芯片企业铠侠合作开发了先进的5nm工艺，估计是在原有的NIL工艺基础上研发的，此举对于日本的芯片产业来说具有重大意义，将进一步降低芯片的成本，重振日本的芯片产业