日本和美国的芯片行业研发摆脱EUV光刻机的芯片制造工艺，在于采用EUV光刻机的芯片制造工艺成本实在太高了，用于7nm及以上工艺的DUV光刻机价格在3000-5000万美元，而第一代EUV光刻机价格达到1.2亿美元，第二代EUV光刻机价格达到4亿美元
除了设备过于昂贵之外，EUV光刻机的耗电量也是剧增，据悉台积电的耗电量占中国台湾省衡耗电量比例达到8%，如果引入第二代EUV光刻机，预计耗电量将进一步上涨，不知中国台湾能否撑得住，昂贵的电费让台积电已逐渐难以承受，这都导致采用光刻机的芯片制造工艺成本昂贵
日本开发的NIL工艺是全球第一项无需光刻机的芯片制造工艺，此前已被铠侠用于存储芯片生产，此前日本方面就预计NIL工艺将可以演进至5nm，到去年底日本已将该工艺突破10nm，到如今不到1年时间又突破到5nm，可谓进展神速
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ASML陷入众叛亲离境地
据悉日本已成功突破5nm工艺，这是在无需采用ASML的EUV光刻机情况下达到的，此前美国也有企业研发了无需EUV光科技的工艺，似乎ASML正陷入众叛亲离的局面
由于成本过于昂贵，台积电和三星研发的3nm工艺如今都面临无客户采用的问题，甚至有消息指苹果考虑到成本问题预计明年的A17处理器仍然采用成熟的4nm工艺而不是3nm工艺
光刻机的工艺系数
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据悉日本这次是众多芯片设备企业与日本最大的芯片企业铠侠合作开发了先进的5nm工艺，估计是在原有的NIL工艺基础上研发的，此举对于日本的芯片产业来说具有重大意义，将进一步降低芯片的成本，重振日本的芯片产业