ASML的EUV光刻机时代正在落幕
中国芯片制造企业以现有的DUV光刻机将芯片制造工艺推进至7nm，国内的芯片封装企业通富微电等又研发了5nm芯粒封装技术，如此国产芯片可望提供接近5nm工艺性能的芯片，对ASML的EUV光刻机需求迫切性下降
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在先进工艺研发难度、成本高的情况下，台积电如今也开始转向以封装技术提升现有工艺的性能以满足芯片企业的要求，台积电已联合了19家芯片企业成立“3D Fabric ”联盟，以先进的封装技术提高5nm、7nm等现有工艺的性能，甚至可以提升无需EUV光刻机的7nm、16nm工艺芯片的性能
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台积电和美国芯片企业都在舍弃ASML的EUV光刻机，ASML终于开始重新将目光放在中国市场，近期表示将大举扩张光刻机的产能，EUV光刻机产能将提升到90台，DUV光刻机产能增加至600台，然而它迟迟未能对中国自由出货，而中国芯片已经等不及了
对于现有的硅基芯片，全球最大的芯片制造企业台积电研发先进工艺已遇到了巨大阻力，3nm工艺已延迟了一年，在今年三季度研发成功后却被苹果认为用它试产的A16处理器性能不达标，成本却太高，最终苹果舍弃了3nm工艺，导致台积电的3nm工艺面临无客户采用而没有量产
早前中国一家企业就被媒体报道已筹建全球第一条光子芯片生产线，预计最快在明年量产，一旦光子芯片实现商用，那将彻底革新当下的芯片技术，光子芯片的性能比硅基芯片高1000倍，功耗则只有硅基芯片的千分之一，具有广阔的应用前景
光刻机三大性能
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