那么问题就来了, 国产90nm的前道光刻机,究竟能够生产几纳米的芯片,是不是就只能是90nm了?事实上并不是的,在一些晶圆厂的实际测试中,在精度方面,90nm肯定没问题的,同时经过两次曝光,可以得到45nm的芯片,三次曝光最高可以达到22nm左右的水平
帮同事升级电脑,装了固态硬盘,加了光驱,重装了win10系统,电脑速度一下子提高了许多。同事很开心。
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前道光刻机对光刻机的精度要求非常高,所以会有按精度分的DUV、EUV等光刻机
而前道光刻机方面,自然ASML是老大,毕竟EUV光刻机,只有ASML能够生产,而国内自研的前道光刻机,分辨率显示还是90nm的
那么有没有可能继续进行第4次曝光,然后就实现了11nm,再进行第5次曝光,然后实现10nm以下呢?理论上可以,但实际不行
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产品包装:包装妥当,严实 稳定性能:稳定 读盘声音:较小 外形外观:小巧 轻薄程度:轻薄 读盘速度:很快 先锋不愧是光驱第一品牌,以前用过先锋的CD刻录机,从没有废盘,刻录质量杠杠的!
据称,目前国内正在研发28nm精度的光刻机,那么经过2次曝光后,能够达到14nm,然后可以尝试性的进行第三次曝光,然后有可能迈入7nm
当然,以上只是猜测,因为精度越高的光刻机,多次曝光的难度也就越高了,一切还得看真机的实测才行
先锋光驱,很多年的老品牌,用过一个先锋外置光驱,这次装机还是在京东选购一台内置先锋DVD刻录机,已装上,读盘很好,刻录功能还末试。
光刻机最核心技术
在测试中,进行到第三次曝光时,晶圆的良率已经降低到了一个相当低的值,甚至有时候会低于20%了
如果进行第四次曝光,估计良率会低到离谱,至于第五次、第六次,根本不用想了,良率会接近于0%
目前像ASML的DUV光刻机,一般最多也只进行两次曝光,很少进行多次曝光,因为会大幅度的降低良率,造成成本上升,这是得不偿失的
在芯片制造的过程中,其它是需要两种光刻机的,一种是前道光刻机,就是将光掩膜板上的电路图,记录到涂了光刻胶的晶圆上的光刻机,因为这是前道工序,所以称之为前道光刻机
还有一种是后道光刻机,用于芯片后期的封装,在芯片制造过程中,属于后道工序,所以叫后道光刻机
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能生产几纳米的芯片?答案或是22nm
现在这年代还在用光驱的不多了吧,连机箱也没几个说特意有留位置的,要么就是复古机箱,非常难看……至于光驱还是信赖老牌子,用先锋我是很放心的!