早前美国一家精密制造企业Zyvex Labs就宣布研发成功光刻机系统,它舍弃了ASML等光刻机企业所采用的紫外光,而采用了电子束(EBA)刻印电路,精度远超采用极紫外线的EUV光刻机,工艺制程可以达到0.768nm,这对于ASML更是重大打击
读盘速度:很快 读盘声音:很小,几乎听不到声音 稳定性能:性能稳定 轻薄程度:与台式机配套合适 外形外观:精緻 产品包装:严实无破损。
除了设备过于昂贵之外,EUV光刻机的耗电量也是剧增,据悉台积电的耗电量占中国台湾省衡耗电量比例达到8%,如果引入第二代EUV光刻机,预计耗电量将进一步上涨,不知中国台湾能否撑得住,昂贵的电费让台积电已逐渐难以承受,这都导致采用光刻机的芯片制造工艺成本昂贵