我们也无法顺利制造7nm芯片
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而前道工序更是重点,有至少8个工序,分别是扩散、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、CMP抛光、金属化、测试
而这里也要用到各种设备,众多的材料,光刻机只是其中的一种设备,这些设备大多和光刻机一样,是有精度要求的,分别要求达到7nm
综合起来看,要想芯片制造水平达到7nm,需要EDA支持7nm,半导体材料也是支持7nm,半导体设备也支持7nm……而EUV光刻机只是其中的一种设备,就算我们突破了,美国或其它国家一样能够在其它设备、材料上卡住我们,因为目前国产的半导体材料、半导体设备,很多在28nm甚至更成熟的工艺,达到7nm的少之又少