ASML的高管近日表示2025年推出的High-NA EUV光刻机可能将是光刻机的最后一代产品了,这已经达到了当前光刻机技术所能达到的最高水平,以这种光刻机技术或许能推进至1.8纳米,再先进的工艺就得另寻它法
中国光刻机有突破吗
随着光刻机变得更加负责,光刻机的耗电量也在激增,业界人士指出High-NA EUV光刻机的总功耗将达到200万瓦的水平,每天耗电量将达到4.8万度电;如今台积电仅是推进至5nm工艺,它消耗的电力已占中国台湾省的8%,业界预期推进至3nm之后它消耗的电力将占中国台湾的12%