不过可惜的是,当前我们似乎在这三种方案上都不太突出,当然也有可能是保持低调,不愿意秀出实力来,但不得不说,研究EUV光刻机,或者研究能替代EUV光刻机的技术,对于中国芯而言,是势在必行,再难也要上的,否则中国芯就会一直被卡脖子,你觉得呢?
第二大方案是电子束光刻机(EBL),用高能电子束来替代极紫外线,电子对应的波长只有0.04纳米,加工精度就比EUV又高了不少
目前在这一块比较突出的是美国,前不久前段时间美国公司Zyvex,就搞出了一台电子束光刻机(EBL),并制造了768皮米(0.768nm)