在先进晶圆厂,28纳米以下的逻辑芯片制程,其所需要的EUV曝光数量随节点的迭代而逐渐增加,所以节点越先进,EUV光刻机所需数量越多
所以,28纳米以下的高级逻辑芯片,其光刻设备的投资额度,将随着逻辑节点的代差,指数级增加
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逻辑芯片晶圆厂不同芯片节点的光刻机需要投资比例到了7纳米以下,先进逻辑芯片所需要的EUV光刻机的投资比例不断增加:1,5纳米节点的EUV光刻机比例达到60%;2,3纳米节点的EUV光刻机比例达到70%;3,2纳米节点以下的EUV光刻机比例达到80%