台积电业务开发资深副总经理张晓强则表示,2024年取得设备后,初期主要用于与合作伙伴共同研究,尚不会量产
具体的量产将会是在2025年
而根据ASML今年4月披露的信息显示,目前ASML在位于 Veldhoven 的新洁净室中已经开始集成第一个High-NA EUV光刻系统(EXE:5000)
相比目前的0.33数值孔径的EUV光刻机,High-NA EUV光刻机将数值孔径提升到0.55,可以进一步提升分辨率(根据瑞利公式,NA越大,分辨率越高),从0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到0.55 NA EUV的低至8nm分辨率(通过多重曝光可支持2nm及以下制程工艺芯片的制造)