正是由于成本问题，日本、美国的芯片行业才寻求发展无需EUV光刻机的芯片制造工艺，降低成本
此前ASML顺应美国的要求不对中国出售EUV光刻机，今年下半年更进一步连14nm以下的DUV光刻机都不对中国出售，然而如今日本和美国都绕开EUV光刻机，将彻底颠覆ASML的主业--光刻机业务
无独有偶此前美国的芯片企业美光也成功研发出了无需EUV光刻机的1β(1-beta)制造工艺，显示出美国芯片企业也意图摆脱对ASML的依赖，其实美国芯片业界对ASML的打击并不止于此，它们甚至在挖ASML的根
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日本开发的NIL工艺是全球第一项无需光刻机的芯片制造工艺，此前已被铠侠用于存储芯片生产，此前日本方面就预计NIL工艺将可以演进至5nm，到去年底日本已将该工艺突破10nm，到如今不到1年时间又突破到5nm，可谓进展神速
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中国制造芯片需要的光刻机
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和美国远离EUV
据悉日本已成功突破5nm工艺，这是在无需采用ASML的EUV光刻机情况下达到的，此前美国也有企业研发了无需EUV光科技的工艺，似乎ASML正陷入众叛亲离的局面
由于成本过于昂贵，台积电和三星研发的3nm工艺如今都面临无客户采用的问题，甚至有消息指苹果考虑到成本问题预计明年的A17处理器仍然采用成熟的4nm工艺而不是3nm工艺
除了设备过于昂贵之外，EUV光刻机的耗电量也是剧增，据悉台积电的耗电量占中国台湾省衡耗电量比例达到8%，如果引入第二代EUV光刻机，预计耗电量将进一步上涨，不知中国台湾能否撑得住，昂贵的电费让台积电已逐渐难以承受，这都导致采用光刻机的芯片制造工艺成本昂贵
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