第一台高NA光刻机EXE:5000将在IMEC和ASML的联合实验室安装1990-2020年的光刻机代差从1990-2030年的半导体发展路径图上，我们可以看到大致上，2005-2019年经历了两个主要代差：1，浸液式DUV光刻（2007-2012年）；2，浸液式多重曝光DUV光刻（2012-2019年）；3，NA0.33EUV光刻机（2011-2020年）
先锋光存储产品一直是全球领先的，其实我更想购买的是DVD-ROM，因为我只用来抓取CD。从EAC抓取数据来看，读取偏移校正为6，这个数值相当低，也就是说抓取的效果是非常好的，有些光驱这个数值能达到50、60或者更高，因此这是评判一只光驱最好的维度之一。每个人用途不一样，我只是从抓取CD的角度来看是非常完美的，而且在抓取的过程中震动和噪音非常低。最后一句：先锋这款光驱是性价比之王！
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编者按：公众比较熟悉的光刻机代差是基于193纳米光刻光源的干式DUV和浸液式DUV
明确这些技术代差，有助于讨论和思考我国的光刻机发展方式和组织模式
京东快递，一如既往的质量保障，送货速度快，快递员态度好，继续支持。已试过，静音速度快，这是我第一个外置光刻一体光驱，真心不错，值得推荐
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2022-2032年的极紫外EUV光刻机代差在2022年6月底披露的资料中，IMEC公布了更新的未来十年的半导体工艺节点的规划，其中明确了两代EUV光刻技术代差：1，2023-2026年，将以NA0.33 EUV光刻机的多重曝光方式量产2纳米和A14（14Å）节点；2，2026-2032年，将以高NA0.55的EUV光刻机量产A10、A7、A5节点
同样，根据2021年3月的公开记录而言，可以很容易判断目前可能还不具备规模量产的能力
因此需要重新调整重大专项的目标和组织模式，以产业发展的基础技术储备作为重点攻关，而不是致力于我前文所述的“复制型制造开发”模式
2，在未来十年的新技术上，目前全球仅ASML具有条件进行未来十年的2nm至5A的相关研究；这是建立在其过去十年的EUV光刻机垄断式发展基础上建立的垄断式发展优势
极紫外EUV光刻机代差详解:2010-2032年欧洲瑞光刻机被烧
很显然，这两次迭代，将使得摩尔定律被延长至2032年
在中文舆论里，前者便是铺天盖地的所谓“28nm”光刻机；后者便是所谓“7nm”光刻机
半导体产业40年的发展路径经严格考证的国产光刻机光源进度而在我2021年10月份的考证里，国产DUV光源的测试计划是248nm的KrF DUV激光器，因此实际上这一款激光器并没有进入批量生产的阶段