极紫外EUV光刻机代差详解:2010-2032年
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2022-2032年的极紫外EUV光刻机代差在2022年6月底披露的资料中,IMEC公布了更新的未来十年的半导体工艺节点的规划,其中明确了两代EUV光刻技术代差:1,2023-2026年,将以NA0.33 EUV光刻机的多重曝光方式量产2纳米和A14(14Å)节点;2,2026-2032年,将以高NA0.55的EUV光刻机量产A10、A7、A5节点
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asml光刻机最高精度
中国准分子激光DUV光刻光源测试原始记录关于国产DUV光刻光源的考证原文:解读中国28nm光刻机(一):深紫外DUV光刻机光源的曙光结语在上述关于光刻机代差分析里,我们剥离出未来十年的2代代差和过去十年的3代代差,而这正对应于我国的光刻机研发工作的针对目标:1,在过去十年的既有技术上的突破,显而易见,自2019年开始国际形势突变之后,我们不再具有轻易获得西方的成熟技术、并依托其上进行迭代式发展的模式
同样,根据2021年3月的公开记录而言,可以很容易判断目前可能还不具备规模量产的能力
因此需要重新调整重大专项的目标和组织模式,以产业发展的基础技术储备作为重点攻关,而不是致力于我前文所述的“复制型制造开发”模式
2,在未来十年的新技术上,目前全球仅ASML具有条件进行未来十年的2nm至5A的相关研究;这是建立在其过去十年的EUV光刻机垄断式发展基础上建立的垄断式发展优势
先锋刻录机很好,上一个用了7年多才坏,现在换一个新的。很好用,读取速度很快,不愧是大牌子!
很显然,这两次迭代,将使得摩尔定律被延长至2032年
在中文舆论里,前者便是铺天盖地的所谓“28nm”光刻机;后者便是所谓“7nm”光刻机
半导体产业40年的发展路径经严格考证的国产光刻机光源进度而在我2021年10月份的考证里,国产DUV光源的测试计划是248nm的KrF DUV激光器,因此实际上这一款激光器并没有进入批量生产的阶段
第一台高NA光刻机EXE:5000将在IMEC和ASML的联合实验室安装1990-2020年的光刻机代差从1990-2030年的半导体发展路径图上,我们可以看到大致上,2005-2019年经历了两个主要代差:1,浸液式DUV光刻(2007-2012年);2,浸液式多重曝光DUV光刻(2012-2019年);3,NA0.33EUV光刻机(2011-2020年)
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