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后来的中国通过老一辈的科研工作者努力，正在一切向着前进的方向发展，然而本以为将会顺利发展、步入快车道的中国光科技产业，在1984年遭遇了“中断”
伴随着日后光刻机市场霸主ASML的诞生而打破，并且随着中国重视重心逐步趋向于其他行业，中国在80年代底，开始主张“造不如买”的政策
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注：图片来自仪器信息网 然而自主研发光刻机并非想象中那么简单
据数据显示，制造一台光刻机的精密零件需求为数万颗，而世界目前最先进的极紫外EVU光刻机则需要零件多达十多万
如此多的数目以及极其精密的数据要求，就成为了光刻机最根本的需求基础，因此传统的制造基础便成为了光刻机技术突破的基础产业要求之一
因此我国的光刻机技术水平仍然需要不断努力突破，才能弥补这个差距
【中国光刻机的三次“突破”】 在1952年，我国步入计算机科研，国家也正是成立了计算机科研小组，而此时的中国相对于外国来讲，GDP仍然差距较大
直到1956年，我国正式开始重视半导体产业，并且成功研制出第一只晶体三极管，从此中国进入半导体的新纪元，然而此时相对世界上第一只三极管的诞生已经过去了长达9年的时间
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此时的中国就已经意识到了其重要性，快速向半导体产业进军
恰巧2000年的中国，正是大量爱国人士回国创业的时代，他们带着外国的先进知识和经验，进一步促使中国半导体的产业得到光速发展
2007年，上海微电子宣布研制出90nm的分布式投影光刻机，但由于大多数元器件来自国外，西方国家再次禁运，导致无法量产
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使得自身的科研进度逐步减缓，以至于中国的集成电路在科研、教育等方面出现脱节，自主研发的道路越走越窄
取而代之的是数以万千的廉价劳动力，尽管后来尽力去跟进研发，但由于自身发展原因加上大环境影响，导致曾经辉煌一时的半导体盛景已然成为“泡沫”
光刻机的工艺系数
很好用，而且用了一段时间了还没坏，我们经常用，也经常会用坏，所以买这个很划算 稳定性能：好