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光刻机_雕刻机_曝光系统

台积电光刻机是自己造,中国芯片在底层技术上实现突破

芯片设计上,28纳米工艺只需要4280万美元,7纳米则需要2.486亿美元,3纳米已经需要5.811亿美元,2纳米预计需要7.248亿美元,所以一颗3纳米芯片的设计成本,就是28纳米工艺的近14倍,超40亿人民币

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台积电光刻机是自己造,中国芯片在底层技术上实现突破

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很好,经过测试质量很好,刻录光盘很快。刻录稳定,一直很多年都在用先锋的,没有问题!非常满意

而之所以是一条捷径,是因为还没有找到其他更好的办法,这样的情况让台积电和ASML迅速崛起,台积电可以提供先进制造工艺,而ASML可以提供支撑最先进工艺的光刻机

在芯片制造上,28纳米晶圆价格是3000美元,7纳米是10000美元,5纳米是16000美元,3纳米是超20000美元,3纳米晶圆的成本是28纳米的约7倍

简单来说,复旦大学成功实现了CFET晶体管,该晶体管在当前的应用特点,是可以实现集成度的翻倍,这与提升芯片制造工艺的结果是一样的,因为提升工艺的目的就是为了提升晶体管的集成度

因此我们就可以看到,将芯粒、CFET和先进封装结合起来,就可以实现异质异构芯片,异质异构芯片与采用依赖先进工艺的同质同构的芯片相比,性能上并不占有劣势,但是成本上却占有极大优势

虽然先进工艺用最短的时间解决了芯片性能的问题,但是很快,新的问题也暴露了出来,那就是成本,先进工艺无论是从芯片的设计还是制造,成本都成倍的提升,这种提升的幅度,即便是全球顶尖的芯片巨头,也都难以承受,例如苹果

中国芯在底层技术上实现突破

一直用多大先锋的外置刻录机,用于投标刻录光盘的。实事求是!真是皮实耐用!!!第一台用了7年,这才换第二台,绝对的物超所值!良心评价,我个人认可了这个牌子,推荐大家 稳定性能:用了7年才出现一点点问题

台积电光刻机是自己造

这种成本所暴露的问题,在光刻机上也开始显露

ASML方面在今年就已经表示,在高NA EUV光刻机的下一代产品上,光刻技术似乎已经走到尽头

倒不是说技术上做不到,而是成本上难以承受,光刻机的NA可以继续提升,但是成本将高出天际

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