极紫外EUV光刻机代差详解:2010-2032年光刻机中国芯
中国准分子激光DUV光刻光源测试原始记录关于国产DUV光刻光源的考证原文：解读中国28nm光刻机（一）:深紫外DUV光刻机光源的曙光结语在上述关于光刻机代差分析里，我们剥离出未来十年的2代代差和过去十年的3代代差，而这正对应于我国的光刻机研发工作的针对目标：1，在过去十年的既有技术上的突破，显而易见，自2019年开始国际形势突变之后，我们不再具有轻易获得西方的成熟技术、并依托其上进行迭代式发展的模式
比利时IMEC实验室公布2纳米以下制程量产时间节点首台高NA光刻机将入驻IMEC-ASML联合实验室IMEC和ASML的联合实验室将在2023年安装第一台高NA EUV光刻机系统；这是近十年光刻机发展历史上的一个里程碑的进展
稳定性能：不错 读盘速度：很快 外形外观：还好 轻薄程度：适中 产品包装：精美 读盘声音：很轻
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同样，根据2021年3月的公开记录而言，可以很容易判断目前可能还不具备规模量产的能力
因此需要重新调整重大专项的目标和组织模式，以产业发展的基础技术储备作为重点攻关，而不是致力于我前文所述的“复制型制造开发”模式
2，在未来十年的新技术上，目前全球仅ASML具有条件进行未来十年的2nm至5A的相关研究；这是建立在其过去十年的EUV光刻机垄断式发展基础上建立的垄断式发展优势
一直用先锋刻录机，09年卖的刻录机现在读片困难了，只能换新了。新机很好，价格便宜，满意，性能很好，不但能够读光盘还能刻录光盘，非常的实用，孩子学校发的光盘可以使用了
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是正品，速度快，刻盘稳定，稳定才是王道，不会坏盘，很满意。买给客户的，对方很满意，刻录速度比较快，声音小，很实用
编者按：公众比较熟悉的光刻机代差是基于193纳米光刻光源的干式DUV和浸液式DUV
而浸液式DUV光刻，可以通过多次曝光获得7纳米节点的能力
明确这些技术代差，有助于讨论和思考我国的光刻机发展方式和组织模式
这款蓝光刻录机价格太硬了，我等了一年终于降价了，赶紧入手以前有个先锋的普通刻录机，用了十几年了还在用，刻录杠杠的，没一点问题，声音特别小，性能稳定，外观大气，读写速度都很快，质量绝对硬！！
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这款光源对应上图的位置是1994年
当然，我们不能把1994年当作技术差距的时间点
例如不排除同步开发的193nm的ArFDUV光源也已经进入光刻机厂商的测试环节；亦即达到193nm浸没式光刻水平，那么对应上图的位置是2005年左右