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光刻机_雕刻机_曝光系统

极紫外EUV光刻机代差详解:2010-2032年口罩真的换到光刻机吗

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中国准分子激光DUV光刻光源测试原始记录关于国产DUV光刻光源的考证原文:解读中国28nm光刻机(一):深紫外DUV光刻机光源的曙光结语在上述关于光刻机代差分析里,我们剥离出未来十年的2代代差和过去十年的3代代差,而这正对应于我国的光刻机研发工作的针对目标:1,在过去十年的既有技术上的突破,显而易见,自2019年开始国际形势突变之后,我们不再具有轻易获得西方的成熟技术、并依托其上进行迭代式发展的模式

送货快,电脑城那边便宜,读盘速度刻盘速度,很快,感觉很有威力,前前后后一共买过三个,都是单位买的,原来的都不读盘了。

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同样,根据2021年3月的公开记录而言,可以很容易判断目前可能还不具备规模量产能力

因此需要重新调整大专项的目标和组织模式,以产业发展的基础技术储备作为重点攻关,而不是致力于我前文所述的“复制制造开发”模式

2,在未来十年的新技术上,目前全球仅ASML具有条件进行未来十年的2nm至5A的相关研究这是建立在其过去十年的EUV光刻机垄断式发展基础上建立的垄断式发展优势

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很显然,这两次迭代,将使得摩尔定律被延长至2032年

中文舆论里,前者便是铺天盖地的所谓“28nm”光刻机;后者便是所谓“7nm”光刻机

半导体产业40年的发展路径经严格考证的国产光刻机光源进度而在我2021年10月份的考证里,国产DUV光源的测试计划是248nm的KrF DUV激光器,因此实际上这一款激光器并没有进入批量生产阶段

比利时IMEC实验室公布2纳米以下制程量产时间节点首台高NA光刻机将入驻IMEC-ASML联合实验室IMEC和ASML的联合实验室将在2023年安装第一台高NA EUV光刻机系统;这是近十年光刻机发展历史上的一个里程碑的进展

这款光源对应上图的位置是1994年

当然,我们不能把1994年当作技术差距的时间点

例如不排除同步开发的193nm的ArFDUV光源也已经进入光刻机厂商的测试环节;亦即达到193nm浸没式光刻水平,那么对应上图的位置是2005年左右

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