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极紫外EUV光刻机代差详解:2010-2032年
比利时IMEC实验室公布2纳米以下制程量产时间节点首台高NA光刻机将入驻IMEC-ASML联合实验室IMEC和ASML的联合实验室将在2023年安装第一台高NA EUV光刻机系统;这是近十年光刻机发展历史上的一个里程碑的进展
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中国复制荷兰光刻机
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这款光源对应上图的位置是1994年
当然,我们不能把1994年当作技术差距的时间点
例如不排除同步开发的193nm的ArFDUV光源也已经进入光刻机厂商的测试环节;亦即达到193nm浸没式光刻水平,那么对应上图的位置是2005年左右
2022-2032年的极紫外EUV光刻机代差在2022年6月底披露的资料中,IMEC公布了更新的未来十年的半导体工艺节点的规划,其中明确了两代EUV光刻技术代差:1,2023-2026年,将以NA0.33 EUV光刻机的多重曝光方式量产2纳米和A14(14Å)节点;2,2026-2032年,将以高NA0.55的EUV光刻机量产A10、A7、A5节点
同样,根据2021年3月的公开记录而言,可以很容易判断目前可能还不具备规模量产的能力
因此需要重新调整重大专项的目标和组织模式,以产业发展的基础技术储备作为重点攻关,而不是致力于我前文所述的“复制型制造开发”模式
2,在未来十年的新技术上,目前全球仅ASML具有条件进行未来十年的2nm至5A的相关研究;这是建立在其过去十年的EUV光刻机垄断式发展基础上建立的垄断式发展优势
很显然,这两次迭代,将使得摩尔定律被延长至2032年
在中文舆论里,前者便是铺天盖地的所谓“28nm”光刻机;后者便是所谓“7nm”光刻机
半导体产业40年的发展路径经严格考证的国产光刻机光源进度而在我2021年10月份的考证里,国产DUV光源的测试计划是248nm的KrF DUV激光器,因此实际上这一款激光器并没有进入批量生产的阶段
颜值没得说 白色很显质感 刻录速度体感比联想绿联戴尔华硕都要快点 用过的刻录机比较多 这款质感最高 物有所值 用的也开心
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