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光刻机_雕刻机_曝光系统

中国目前光刻机技术水平,极紫外EUV光刻机代差详解:2010-2032年

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编者按:公众比较熟悉的光刻机代差是基于193纳米光刻光源干式DUV和浸液式DUV

而浸液式DUV光刻,可以通过多次曝光获得7纳米节点能力

明确这些技术代差,有助于讨论和思考我国的光刻机发展方式和组织模式

这款光源对应上图的位置是1994年

当然,我们不能把1994年当作技术差距的时间点

例如不排除同步开发的193nm的ArFDUV光源也已经进入光刻机厂商测试环节;亦即达到193nm浸没式光刻水平,那么对应上图的位置是2005年左右

比利时IMEC实验室公布2纳米以下制程量产时间节点首台高NA光刻机将入驻IMEC-ASML联合实验室IMEC和ASML的联合实验室将在2023年安装第一台高NA EUV光刻机系统这是近十年光刻机发展历史上的一个里程碑的进展

物流挺快的,已经收到货了,开箱后使用了几天才来评价,质量不错,读碟快速度,高铁片里赠送的蓝光播放器和网盘备份刻录软件都非常超级,之后用一张可重复使用,刻录光盘刻录一部超清电影,播放出来,何蓝光碟差不了多少,反复刷两次光盘都一样没变化,打开之后第一感觉就是非常喜欢外观时尚大方,价钱也实惠,性价比高,装上之后车试一下,读碟很好,刻录光盘也很好,很流畅,非常愉快的一次购物,京东真的很不错,下次还会推荐朋友们过来购买

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2022-2032年的极紫外EUV光刻机代差在2022年6月底披露的资料中,IMEC公布了更新的未来十年半导体工艺节点的规划,其中明确了两代EUV光刻技术代差:1,2023-2026年,将以NA0.33 EUV光刻机的多重曝光方式量产2纳米和A14(14Å)节点;2,2026-2032年,将以高NA0.55的EUV光刻机量产A10、A7、A5节点

紫外EUV光刻机代差详解:2010-2032年

中国目前光刻机技术水平,极紫外EUV光刻机代差详解:2010-2032年

一台高NA光刻机EXE:5000将在IMEC和ASML的联合实验室安装1990-2020年的光刻机代差从1990-2030年的半导体发展路径图上,我们可以看到大致上,2005-2019年经历了两个主要代差:1,浸液式DUV光刻(2007-2012年);2,浸液式多重曝光DUV光刻(2012-2019年);3,NA0.33EUV光刻机(2011-2020年)

中国目前光刻机技术水平

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