因此我国的光刻机技术水平仍然需要不断努力突破，才能弥补这个差距
【中国光刻机的三次“突破”】 在1952年，我国步入计算机科研，国家也正是成立了计算机科研小组，而此时的中国相对于外国来讲，GDP仍然差距较大
直到1956年，我国正式开始重视半导体产业，并且成功研制出第一只晶体三极管，从此中国进入半导体的新纪元，然而此时相对世界上第一只三极管的诞生已经过去了长达9年的时间
伴随着晶体管的研发成功，我国相关的科研进度也飞速加快，然而“天公不作美”，尽管我国努力在向着光刻机制造产业前进，但仍然困难重重
而光刻机，也被该委员会列为尖端科技产品，对于中国实施禁运，此时的中国也正式遭遇第一次“高科技卡脖”
后来国家为了解决这一难题，除了抓紧整机制造，还开始扶持一系列配套产业链的发展，在不懈努力下，光刻机产业也成功在2016年实现90nm的光刻机量产
同年，中国的清华大学团队和华卓精科成功研发了光刻机双工作台系统样机，至此中国光刻机技术水平达到除ASML外的“外国”同步水平
从“造不如买”到集中力量攻坚
恰巧2000年的中国，正是大量爱国人士回国创业的时代，他们带着外国的先进知识和经验，进一步促使中国半导体的产业得到光速发展
2007年，上海微电子宣布研制出90nm的分布式投影光刻机，但由于大多数元器件来自国外，西方国家再次禁运，导致无法量产
其次，就算拥有了精密的零件制造业基础，在光学系统、组装技术等知识、技术等方面也是如今光刻机技术突破的一大难题，因为这一系列的技术知识关乎着一个光刻机能否正常运行以及生产和产出
虽然中国随着近代发展，新兴产业在大量扩展，但是基层技术知识与创新理念却并未进行细耕，也就导致中国的光刻机技术出现一定的差距，这也就成为了目前中国光刻机技术想要进一步突破的关键
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中国光刻机曝光系统
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