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光刻机_雕刻机_曝光系统

极紫外EUV光刻机代差详解:2010-2032年耐威全球光刻机巨头

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中国准分子激光DUV光刻光源测试原始记录关于国产DUV光刻光源的考证原文:解读中国28nm光刻机(一):深紫外DUV光刻机光源的曙光结语在上述关于光刻机代差分析里,我们剥离出未来十年的2代代差和过去十年的3代代差,而这正对应于我国的光刻机研发工作的针对目标:1,在过去十年的既有技术上的突破,显而易见,自2019年开始国际形势突变之后,我们不再具有轻易获得西方的成熟技术、并依托其上进行迭代式发展的模式

极紫外EUV光刻机代差详解:2010-2032年耐威全球光刻机巨头

很显然,这两次迭代,将使得摩尔定律被延长至2032年

中文舆论里,前者便是铺天盖地的所谓“28nm”光刻机;后者便是所谓“7nm”光刻机

半导体产业40年的发展路径经严格考证的国产光刻机光源进度而在我2021年10月份的考证里,国产DUV光源的测试计划是248nm的KrF DUV激光器,因此实际上这一款激光器并没有进入批量生产阶段

同样,根据2021年3月的公开记录而言,可以很容易判断目前可能还不具备规模量产能力

因此需要重新调整大专项的目标和组织模式,以产业发展的基础技术储备作为重点攻关,而不是致力于我前文所述的“复制制造开发”模式

2,在未来十年的新技术上,目前全球仅ASML具有条件进行未来十年的2nm至5A的相关研究;这是建立在其过去十年的EUV光刻机垄断式发展基础上建立的垄断式发展优势

外形外观:精美 读盘声音:静音 稳定性能:稳定 轻薄程度:超薄 产品包装:精美 读盘速度:快

读盘速度:非常不错! 读盘声音:声音小! 产品包装:包装不错! 外形外观:外观好看! 稳定性能:稳定好! 轻薄程度:合适

这款光源对应上图的位置是1994年

当然,我们不能把1994年当作技术差距的时间点

例如不排除同步开发的193nm的ArFDUV光源也已经进入光刻机厂商的测试环节;亦即达到193nm浸没式光刻水平,那么对应上图的位置是2005年左右

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读盘速度:先锋存储名不虚传啊,原来用的也是先锋的,用了有10年,终于退休了 读盘声音:声音很小,几乎听不到 稳定性能:稳定性超强,刻录CD非常快,音质也超棒 轻薄程度:外置光驱吗,都一样薄厚,没有太厚的 外形外观:外观就是比原来的降了档次,原来的机器都是金属外壳,现在的是工程PVC的,更轻一些 产品包装:产品包装结实,原封装,没动过,全新

第一台高NA光刻机EXE:5000将在IMEC和ASML的联合实验室安装1990-2020年的光刻机代差从1990-2030年的半导体发展路径图上,我们可以看到大致上,2005-2019年经历了两个主要代差:1,浸液式DUV光刻(2007-2012年);2,浸液式多重曝光DUV光刻(2012-2019年);3,NA0.33EUV光刻机(2011-2020年)

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