中国准分子激光DUV光刻光源测试原始记录关于国产DUV光刻光源的考证原文：解读中国28nm光刻机（一）:深紫外DUV光刻机光源的曙光结语在上述关于光刻机代差分析里，我们剥离出未来十年的2代代差和过去十年的3代代差，而这正对应于我国的光刻机研发工作的针对目标：1，在过去十年的既有技术上的突破，显而易见，自2019年开始国际形势突变之后，我们不再具有轻易获得西方的成熟技术、并依托其上进行迭代式发展的模式
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比利时IMEC实验室公布2纳米以下制程量产时间节点首台高NA光刻机将入驻IMEC-ASML联合实验室IMEC和ASML的联合实验室将在2023年安装第一台高NA EUV光刻机系统；这是近十年光刻机发展历史上的一个里程碑的进展
2022-2032年的极紫外EUV光刻机代差在2022年6月底披露的资料中，IMEC公布了更新的未来十年的半导体工艺节点的规划，其中明确了两代EUV光刻技术代差：1，2023-2026年，将以NA0.33 EUV光刻机的多重曝光方式量产2纳米和A14（14Å）节点；2，2026-2032年，将以高NA0.55的EUV光刻机量产A10、A7、A5节点
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2020上海微电子45nm光刻机
第一台高NA光刻机EXE:5000将在IMEC和ASML的联合实验室安装1990-2020年的光刻机代差从1990-2030年的半导体发展路径图上，我们可以看到大致上，2005-2019年经历了两个主要代差：1，浸液式DUV光刻（2007-2012年）；2，浸液式多重曝光DUV光刻（2012-2019年）；3，NA0.33EUV光刻机（2011-2020年）
极紫外EUV光刻机代差详解:2010-2032年
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编者按：公众比较熟悉的光刻机代差是基于193纳米光刻光源的干式DUV和浸液式DUV
而浸液式DUV光刻，可以通过多次曝光获得7纳米节点的能力
明确这些技术代差，有助于讨论和思考我国的光刻机发展方式和组织模式
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