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光刻机_雕刻机_曝光系统

上海大学光刻机,极紫外EUV光刻机代差详解:2010-2032年

这款光源对应上图的位置是1994年

当然,我们不能把1994年当作技术差距的时间点

例如不排除同步开发的193nm的ArFDUV光源也已经进入光刻机厂商测试环节;亦即达到193nm浸没光刻水平,那么对应上图的位置是2005年左右

上海大学光刻机

编者按:公众比较熟悉的光刻机代差是基于193纳米光刻光源的干式DUV和浸液式DUV

而浸液式DUV光刻,可以通过多次曝光获得7纳米节点能力

明确这些技术代差,有助于讨论和思考我国的光刻机发展方式和组织模式

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第一台高NA光刻机EXE:5000将在IMEC和ASML的联合实验室安装1990-2020年的光刻机代差从1990-2030年的半导体发展路径图上,我们可以看到大致上,2005-2019年经历了两个主要代差:1,浸液式DUV光刻(2007-2012年);2,浸液式多重曝光DUV光刻(2012-2019年);3,NA0.33EUV光刻机(2011-2020年)

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上海大学光刻机,极紫外EUV光刻机代差详解:2010-2032年

2022-2032年的极紫外EUV光刻机代差在2022年6月底披露的资料中,IMEC公布了更新的未来十年半导工艺节点的规划,其中明确了两代EUV光刻技术代差:1,2023-2026年,将以NA0.33 EUV光刻机的多重曝光方式量产2纳米和A14(14Å)节点;2,2026-2032年,将以高NA0.55的EUV光刻机量产A10、A7、A5节点

紫外EUV光刻机代差详解:2010-2032年

很显然,这两次迭代,将使得摩尔定律被延长至2032年

中文舆论里,前者便是铺天盖地的所谓“28nm”光刻机;后者便是所谓“7nm”光刻机

半导体产业40年的发展路径经严格考证的国产光刻机光源进度而在我2021年10月份的考证里,国产DUV光源的测试计划是248nm的KrF DUV激光器,因此实际上这一款激光器并没有进入批量生产阶段

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