在先进晶圆厂，28纳米以下的逻辑芯片制程，其所需要的EUV曝光数量随节点的迭代而逐渐增加，所以节点越先进，EUV光刻机所需数量越多
所以，28纳米以下的高级逻辑芯片，其光刻设备的投资额度，将随着逻辑节点的代差，指数级增加
中国为什么有那么多“弯道超车”故事?再论EUV光刻机的战略价值
中国古语有云~~~杀鸡取卵，饮鸩止渴，就是指得这个“弯道超车”呀
我们要警惕最近有一些MCN机构艺人胡编乱造，为芯片造假翻案，并且大肆鼓吹各种“弯道超车”、“美国芯片没人要了”、“美国半导体要失业了”
这些“弯道超车”党的鼓吹、糊弄舆论，有可能导致我们国家大批投资化为泡影
逻辑芯片晶圆厂不同芯片节点的光刻机需要投资比例到了7纳米以下，先进逻辑芯片所需要的EUV光刻机的投资比例不断增加：1，5纳米节点的EUV光刻机比例达到60%；2，3纳米节点的EUV光刻机比例达到70%；3，2纳米节点以下的EUV光刻机比例达到80%
目前的顶尖芯片制造三强，台积电、三星、英特尔，通过长达20年的高级逻辑芯片的市场化的迭代发展，获得了大量的利润，进一步刺激资本一代又一代地投入先进技术的开发，从而形成一个良性的循环
“弯道超车”党看不见这些，他们整体呼喊着“弯道超车”的“商业模式”，无非是左右国家科技投入政策，将一笔又一笔的千亿规模的投资投入到他们的“弯道超车”的游戏模式中去罢了
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纳米光刻机可以做什么
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比如，7纳米逻辑芯片晶圆厂的光刻机投资中：1，干式DUV光刻机的投资比例是10%,；2，浸没式DUV光刻机的投资比例大约是50,；3，数值孔径NA0.33的第一代EUV光刻机的比例是40%
当然，到了2纳米节点以下，有需要引入更加昂贵的第二代高NA0.55 EUV光刻机，这意味着2纳米逻辑节点以下，晶圆厂的EUV光刻机投资总额进一步增加