第二大方案是电子束光刻机(EBL),用高能电子束来替代极紫外线,电子对应的波长只有0.04纳米,加工精度就比EUV又高了不少
目前在这一块比较突出的是美国,前不久前段时间美国公司Zyvex,就搞出了一台电子束光刻机(EBL),并制造了768皮米(0.768nm)
办公需要刻录光盘做数据保存,这款读盘能力很强,速度很快,震动不大,有轻微的声音,日常使用基本上不会察觉到;刻录写入时比18x的要快不少,过程很稳定,不会出现数据错误或者写完读不出的情况,购买时还赠送sata数据线,很方便。
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而EUV光刻机,则用于7nm及以下的芯片制造,且只有ASML一家企业能够生产
考虑到ASML是集全球之力造EUV光刻机,且与上下游形成了利益同盟,所以其它厂商想在EUV光刻机上超过ASML,基本上不可能的
成都光电所 光刻机
用起来银好,读碟能力超级强大,价值也很实惠,值得购买的一款光。读盘速度:快读盘声音:小稳定性能:好产品包装:包装严实非常不错
中国都表现不突出
京东的物流很快,主板的质感很好,感觉的出来做工很精良,目前还没有装机,一直用先锋刻录机很好
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这种方式比传统光刻分辨率更高,加工速度也不受影响,但它对材料控制的要求特别高,目前还没有成熟的解决方案,还处在实验室阶段
而对这一技术研究较深的是比利时微电子中心、麻省理工学院,他们都建立了自组装产线,进行相关研究,三星在DSA上申请的专利最多,也非常重视这一 技术
佳能一直非常重视NIL纳米压印技术,甚至在2021年就造出了机器,被铠侠用于NAND闪存制造中,只不过目前精度还不太够,不能替代EUV光刻机
但在NIL技术上,佳能的专利最多,技术最成熟、最先进,很明显,佳能就押注这个技术了
不过可惜的是,当前我们似乎在这三种方案上都不太突出,当然也有可能是保持低调,不愿意秀出实力来,但不得不说,研究EUV光刻机,或者研究能替代EUV光刻机的技术,对于中国芯而言,是势在必行,再难也要上的,否则中国芯就会一直被卡脖子,你觉得呢?