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文 | 华商韬略 付磊 时代在发展,科技在进步,如果说科技是一个国家强盛的根基,那么半导体芯片的制造则代表着人类科技的发展水平,而光刻机则是芯片制造中必不可少的一部分
如今,我国能够生产的光刻机是第四代的ArFDE 90nm制程,然而世界上最先进的光刻机生产企业ASML已经可以做到生产EVU的7nm制程量产
其次,就算拥有了精密的零件制造业基础,在光学系统、组装技术等知识、技术等方面也是如今光刻机技术突破的一大难题,因为这一系列的技术知识关乎着一个光刻机能否正常运行以及生产和产出
虽然中国随着近代发展,新兴产业在大量扩展,但是基层技术知识与创新理念却并未进行细耕,也就导致中国的光刻机技术出现一定的差距,这也就成为了目前中国光刻机技术想要进一步突破的关键
使得自身的科研进度逐步减缓,以至于中国的集成电路在科研、教育等方面出现脱节,自主研发的道路越走越窄
取而代之的是数以万千的廉价劳动力,尽管后来尽力去跟进研发,但由于自身发展原因加上大环境影响,导致曾经辉煌一时的半导体盛景已然成为“泡沫”
注:图片来自仪器信息网 然而自主研发光刻机并非想象中那么简单
据数据显示,制造一台光刻机的精密零件需求为数万颗,而世界目前最先进的极紫外EVU光刻机则需要零件多达十多万
如此多的数目以及极其精密的数据要求,就成为了光刻机最根本的需求基础,因此传统的制造基础便成为了光刻机技术突破的基础产业要求之一
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历时20年之久,中国光刻机技术一直卡在193nm无法突破,中国随着发展也逐渐认识到半导体产业的重要性,开始探讨突破193nm的方法
而此时的ASML却已经开始了EUV光刻机的研发工作,并且成功在2010年正式研发出第一台EVU原型机
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