光刻机为啥这么难造?比原子弹还稀有
第一代为接触式光刻机,掩模会和光刻胶直接接触,使掩膜版和基片都易受到损伤
第二代是接近式光刻机,掩膜版与基片之间的间隙虽然使得这一代的寿命变得很长,但是成像质量也受到了影响,分辨率明显下降
到了第三代时,就已经有了明显进步了,属于扫描投影式光刻机,在这种技术下光学曝光分辨率增强得到了突破,将光刻推向了深亚微米和百纳米级别
资料显示,从1968年半导体IC由实验室走向工业大生产算起到现在,集成度提高了约百亿倍,最小特征尺寸图形的加工线条宽度缩小到原来的约1/10000