ASML 官宣新一代光刻机研发进展
用于大批量制造,以创建先进的微芯片(7 nm、5 nm 和 3 nm 节点)高度复杂的基础层,并支持新颖的晶体管设计和芯片架构
日前,在 2022 SPIE 高级光刻会议上,ASML 介绍了 EUV 的最新进展
根据 ASML 最新消息,新款 EUV 光刻机正在研发中,NA 将从 0.33 增加到 0.55(NA 是光学系统的数值孔径,表示光线的入射角度),2nm 工艺的芯片都将依赖其实现
在今年 6 月 17 日举行的技术研讨会上,台积电研发高级副总裁米玉杰表示:“展望未来,台积电将在 2024 年引入高数值孔径的极紫外(高 NA EUV)光刻机,为的是开发客户所需相关基础设施和模式解决方案,进一步推动创新